U kombinaciji sa sveobuhvatnim prednostima performansi tradicionalnih materijala za supstrat Al2O3 i BeO, keramika od aluminijevog nitrida (AlN), koja ima visoku toplinsku vodljivost (teoretska toplinska vodljivost monokristala je 275 W/m▪k， teoretska toplinska vodljivost polikristala je 70~210W/m▪k ) , niske dielektrične konstante, koeficijenta toplinskog širenja koji odgovara monokristalnom siliciju i dobrih svojstava električne izolacije, idealan je materijal za supstrate krugova i pakiranja u industriji mikroelektronike.Također je važan materijal za visokotemperaturne strukturne keramičke komponente zbog dobrih visokotemperaturnih mehaničkih svojstava, toplinskih svojstava i kemijske stabilnosti.
Teoretska gustoća AlN je 3,26 g/cm3, MOHS tvrdoća je 7-8, otpornost na sobnoj temperaturi je veća od 1016Ωm, a toplinska rastezljivost je 3,5×10-6/℃ (sobna temperatura od 200 ℃).Čista AlN keramika je bezbojna i prozirna, ali bi zbog nečistoća bila raznih boja poput sive, sivkasto bijele ili svijetlo žute.
Osim visoke toplinske vodljivosti, AlN keramika ima i sljedeće prednosti:
1. Dobra električna izolacija;
2. Sličan koeficijent toplinske ekspanzije sa monokristalom silicija, bolji od materijala poput Al2O3 i BeO;
3. Visoka mehanička čvrstoća i slična čvrstoća na savijanje s Al2O3 keramikom;
4. Umjerena dielektrična konstanta i dielektrični gubitak;
5. U usporedbi s BeO, na toplinsku vodljivost AlN keramike manje utječe temperatura, posebno iznad 200 ℃;
6. Otpornost na visoke temperature i otpornost na koroziju;
7. Netoksičan;
8. Može se primijeniti na industriju poluvodiča, industriju kemijske metalurgije i druga industrijska područja.
Vrijeme objave: 14. srpnja 2023