U kombinaciji sa sveobuhvatnim prednostima tradicionalnih Al2O3 i BeO supstratnih materijala, aluminijev nitrid (AlN) keramika, koja ima visoku toplinsku vodljivost (teorijska toplinska vodljivost monokristala je 275 W/m▪k, teorijska toplinska vodljivost polikristala je 70~210 W/m▪k), nisku dielektričnu konstantu, koeficijent toplinskog širenja usklađen s monokristalnim silicijem i dobra električna izolacijska svojstva, idealan je materijal za supstrate i pakiranje sklopova u mikroelektroničkoj industriji. Također je važan materijal za visokotemperaturne strukturne keramičke komponente zbog dobrih visokotemperaturnih mehaničkih svojstava, toplinskih svojstava i kemijske stabilnosti.
Teorijska gustoća AlN-a je 3,26 g/cm3, MOHS tvrdoća je 7-8, otpornost na sobnoj temperaturi je veća od 1016Ωm, a toplinska ekspanzivnost je 3,5 × 10-6/℃ (sobna temperatura od 200 ℃). Čista AlN keramika je bezbojna i prozirna, ali može biti različitih boja poput sive, sivkastobijele ili svijetložute, zbog nečistoća.
Osim visoke toplinske vodljivosti, AlN keramika ima i sljedeće prednosti:
1. Dobra električna izolacija;
2. Sličan koeficijent toplinskog širenja kao kod silicijevog monokristala, superiorniji od materijala poput Al2O3 i BeO;
3. Visoka mehanička čvrstoća i slična savojna čvrstoća kao kod Al2O3 keramike;
4. Umjerena dielektrična konstanta i dielektrični gubici;
5. U usporedbi s BeO, toplinska vodljivost AlN keramike je manje pod utjecajem temperature, posebno iznad 200 ℃;
6. Otpornost na visoke temperature i otpornost na koroziju;
7. Netoksično;
8. Primjenjuje se u poluvodičkoj industriji, kemijskoj metalurškoj industriji i drugim industrijskim područjima.
Vrijeme objave: 14. srpnja 2023.